1064nm Si PIN photodiode
ຄຸນລັກສະນະ
- ໂຄງປະກອບການ illuminated frontside
- ກະແສມືດຕໍ່າ
- ຕອບສະຫນອງສູງ
- ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
- ການສື່ສານເສັ້ນໄຍ optical, ການຮັບຮູ້ແລະລະດັບ
- ການກວດຫາແສງຈາກ UV ຫາ NIR
- ກວດຫາກຳມະຈອນ optical ໄວ
- ລະບົບການຄວບຄຸມສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ
ຕົວກໍານົດການ Photoelectric (@Ta=25℃)
| ລາຍການ # | ໝວດໝູ່ຊຸດ | ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງພື້ນຜິວທີ່ລະອຽດອ່ອນ(ມມ) | ລະດັບການຕອບສະຫນອງຂອງສະເປກ (nm) |
ຄວາມຍາວຄື້ນການຕອບສະໜອງສູງສຸດ (nm) | ການຕອບສະໜອງ(A/W) λ=1064nm
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ λ=1064nm VR=40V RL=50Ω(ns) | ກະແສມືດ VR=40V (nA) | ຄວາມຈຸທາງແຍກ VR=40V f=1MHz (pF) | ແຮງດັນໄຟຟ້າແຕກ (v)
|
| GT102Ф0.2 | ປະເພດ Coaxial II,5501,TO-46 ປະເພດສຽບ | Ф0.2 |
4～1100 |
980
| 0.3 | 10 | 0.5 | 0.5 | 100 |
| GT102Ф0.5 | Ф0.5 | 10 | 1.0 | 0.8 | |||||
| GT102Ф1 | Ф1.0 | 12 | 2.0 | 2.0 | |||||
| GT102Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 12 | 3.0 | 5.0 | ||||
| GT102Ф4 | ເຖິງ-8 | Ф4.0 | 20 | 5.0 | 12.0 | ||||
| GD3310Y | ເຖິງ-8 | Ф8.0 | 30 | 15 | 50 | ||||
| GD3217Y | TO-20 | Ф10.0 | 50 | 20 | 70 |
