900nm Si PIN photodiode
ຄຸນລັກສະນະ
- ໂຄງປະກອບການ illuminated frontside
- ກະແສມືດຕໍ່າ
- ຕອບສະຫນອງສູງ
- ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
- ການສື່ສານເສັ້ນໄຍ optical, ການຮັບຮູ້ແລະລະດັບ
- ການກວດຫາແສງຈາກ UV ຫາ NIR
- ກວດຫາກຳມະຈອນ optical ໄວ
- ລະບົບການຄວບຄຸມສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ
ຕົວກໍານົດການ Photoelectric (@Ta=25℃)
| ລາຍການ # | ໝວດໝູ່ຊຸດ | ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງພື້ນຜິວທີ່ລະອຽດອ່ອນ(ມມ) | ລະດັບການຕອບສະຫນອງຂອງສະເປກ (nm) |
ຄວາມຍາວຄື້ນການຕອບສະໜອງສູງສຸດ (nm) | ການຕອບສະໜອງ(A/W) λ=900nm
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ λ=900nm VR=15V RL=50Ω(ns) | ກະແສມືດ VR=15V (nA) | ຄວາມຈຸທາງແຍກ VR=15V f=1MHz (pF) | ແຮງດັນໄຟຟ້າແຕກ (v)
|
| GT101Ф0.2 | Coaxial type II, 5501, TO-46, ປະເພດສຽບ | Ф0.2 |
4～1100 |
930
| 0.63 | 4 | 0.1 | 0.8 | > 200 |
| GT101Ф0.5 | Ф0.5 | 5 | 0.1 | 1.2 | |||||
| GT101F1 | Ф1.0 | 5 | 0.1 | 2.0 | |||||
| GT101F2 | TO-5 | Ф2.0 | 7 | 0.5 | 6.0 | ||||
| GT101F4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | 1.0 | 20.0 | ||||
| GD3251Y | ເຖິງ-8 | Ф6.0 | 20 | 10 | 30 | ||||
| GT101F8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | 3.0 | 70.0 | ||||
| GD3252Y | T0-8 | 5.8 × 5.8 | 25 | 10 | 35 |
