ສີ່ສີ່ຫຼ່ຽມ Si PIN
ຄຸນລັກສະນະ
- ກະແສມືດຕໍ່າ
- ຕອບສະຫນອງສູງ
- ຄວາມສອດຄ່ອງສີ່ຫລ່ຽມທີ່ດີ
- ພື້ນທີ່ຕາບອດຂະຫນາດນ້ອຍ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
- ການຊີ້ນໍາຂອງເລເຊີ, ການກໍານົດເປົ້າຫມາຍ, ແລະການຕິດຕາມ
- ສໍາລັບອຸປະກອນສໍາຫຼວດ
- Laser micro-positioning, ຕິດຕາມກວດກາການເຄື່ອນຍ້າຍແລະລະບົບການວັດແທກທີ່ຊັດເຈນ
ຕົວກໍານົດການ Photoelectric (@Ta=25℃)
| ລາຍການ # |
ໝວດໝູ່ຊຸດ | ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ ພື້ນຜິວທີ່ອ່ອນໄຫວກັບແສງ (ມມ) | ລະດັບການຕອບສະຫນອງຂອງສະເປກ (nm) | ຄວາມຍາວຄື້ນການຕອບສະໜອງສູງສຸດ | ຄວາມຮັບຜິດຊອບ λ=1064nm (kV/W)
| ກະແສມືດ (nA)
| ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ λ=1064nm RL=50Ω(ns)
| ຄວາມຈຸຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ f=1MHz (pF) | ແຮງດັນໄຟຟ້າແຕກ (v)
|
| GT111 | ເຖິງ-8 | Ф4 |
400-1100 |
980 | 0.3 | 5(ວR=40V) | 15(ວR=40V) | 5(ວR=10V) | 100 |
| GT112 | Ф6 | 7 (ວR=40V) | 20(ວR=40V) | 7 (ວR=10V) | |||||
| GD3250Y | Ф8 | 10(ວR=40V) | 25(ວR=40V) | 10(ວR=10V) | |||||
| GD3249Y | TO-20 | Ф10 | 15(ວR=40V) | 30(ວR=40V) | 15(ວR=10V) | ||||
| GD3244Y | ຮອດ-31-7 | Ф10 | 0.4 | 20(ວR=135V) | 20(ວR=135V) | 10(ວR=135V) | 300 | ||
| GD3245Y | Ф16 | 50(ວR=135V) | 30(ວR=135V) | 20(ວR=135V) | |||||
| GD32413Y | MBY026-P6 | Ф14 | 40(ວR=135V) | 25(ວR=135V) | 16(ວR=135V) | ||||
| GD32414Y | ເຖິງ-8 | Ф5.3 | 400-1150 | 0.5 | 4.8(ວR=140V) | 15(ວR=140V) | 4.2(ວR=140V) | ≥300 | |
| GD32415Y | MBY026-W7W | Ф11.3 | ≤20(ວR=180V) | 20(ວR=180V) | 10(ວR=180V) |
