1064nm APD
ຄຸນລັກສະນະ
- ດ້ານໜ້າ illuminated chip ແປ
- ການຕອບໂຕ້ຄວາມໄວສູງ
- ເພີ່ມ APD ສູງ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
- ລະດັບເລເຊີ
- ການສື່ສານເລເຊີ
- ການເຕືອນໄພເລເຊີ
ຕົວກໍານົດການ photoelectric(@Ta=22±3℃)
| ລາຍການ # | ໝວດໝູ່ຊຸດ | ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງພື້ນຜິວທີ່ລະອຽດອ່ອນ(ມມ) | ລະດັບການຕອບສະຫນອງຂອງສະເປກ (nm) |
ແຮງດັນໄຟຟ້າແຕກ (v) | ຄວາມຮັບຜິດຊອບ M=100 λ=1064nm (kV/W)
|
ເວລາເພີ່ມຂຶ້ນ (ns) | ແບນວິດ (MHz) | ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມ Ta=-40℃～85℃ (V/℃)
| ພະລັງງານທຽບເທົ່າສິ່ງລົບກວນ (pW/√Hz)
| ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນ (μm) | ປະເພດທີ່ຖືກແທນທີ່ໃນປະເທດອື່ນ |
| GD6212Y |
ເຖິງ-8
| 0.8 |
40-1100 | 350-500 | 150 | 8.8 | 40 | 2.2 | 0.15 | ≤50 | C30950 |
| GD6213Y | 200 | 2 | ໑໗໕ | C30659-1060-R8BH | |||||||
| GD6219Y | 3 | 280 | 7 | 50 | 2.4 | 0.27 | C30659-1060-3A |
