800nm APD
ຄຸນລັກສະນະ
- ດ້ານໜ້າ illuminated chip ແປ
- ການຕອບໂຕ້ຄວາມໄວສູງ
- ເພີ່ມ APD ສູງ
- ຄວາມຈຸຂອງຈຸດເຊື່ອມຕໍ່ຕໍ່າ
- ສຽງລົບກວນຕໍ່າ
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ
- ລະດັບເລເຊີ
- ເຣດາເລເຊີ
- ການເຕືອນໄພເລເຊີ
ຕົວກໍານົດການ photoelectric(@Ta=22±3℃)
| ລາຍການ # | ໝວດໝູ່ຊຸດ | ເສັ້ນຜ່າສູນກາງຂອງພື້ນຜິວທີ່ລະອຽດອ່ອນ(ມມ) | ໄລຍະການຕອບສະໜອງສະເປກ(nm) |
ຄວາມຍາວຄື້ນການຕອບສະໜອງສູງສຸດ | ຄວາມຮັບຜິດຊອບ λ=800nm φe=1μW M=100 (A/W) | ເວລາຕອບສະຫນອງ λ=800nm RL=50Ω (ns) | ກະແສມືດ M=100 (nA) | ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມ Ta=-40℃～85℃ (V/℃)
| ຄວາມຈຸທັງໝົດ M=100 f=1MHz (pF)
| ແຮງດັນໄຟຟ້າແຕກ IR=10μA (v) | ||
| ພິມ. | ສູງສຸດ. | ຕ່ຳສຸດ | ສູງສຸດ | |||||||||
| GD5210Y-1-2-TO46 | ເຖິງ-46 | 0.23 |
400-1100
|
800 |
55
|
0.3 | 0.05 | 0.2 | 0.5 | 1.5 | 80 | ໑໖໐ |
| GD5210Y-1-5-TO46 | ເຖິງ-46 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
| GD5210Y-1-2-LCC3 | LCC3 | 0.23 | 0.05 | 0.2 | 1.5 | |||||||
| GD5210Y-1-5-LCC3 | LCC3 | 0.50 | 0.10 | 0.4 | 3.0 | |||||||
