ຊຸດໂມດູນ InGaAS-APD
| ຄຸນລັກສະນະ Photoelectric (＠Ta＝22±3℃) | |||
| ຕົວແບບ | GD6510Y | GD6511Y | GD6512Y |
| ແບບຟອມການຫຸ້ມຫໍ່ | ຮອດ-8 | ຮອດ-8 | ຮອດ-8 |
| ເສັ້ນຜ່າສູນກາງດ້ານການຮັບຮູ້ແສງ (ມມ) | 0.2 | 0.5 | 0.08 |
| ໄລຍະການຕອບສະໜອງສະເປກ (nm) | 1000~1700 | 1000~1700 | 1000~1700 |
| ແຮງດັນໄຟຟ້າແຕກ (V) | 30~70 | 30~70 | 30~70 |
| ການຕອບສະໜອງ M=10 l=1550nm(kV/W) | 340 | 340 | 340 |
| ເວລາຂຶ້ນ (ns) | 5 | 10 | 2.3 |
| ແບນວິດ (MHz) | 70 | 35 | 150 |
| ພະລັງງານສຽງທຽບເທົ່າ (pW/√Hz) | 0.15 | 0.21 | 0.11 |
| ຄ່າສໍາປະສິດອຸນຫະພູມແຮງດັນເຮັດວຽກ T = -40 ℃ ~ 85 ℃ (V / ℃) | 0.12 | 0.12 | 0.12 |
| ຄວາມເຂັ້ມຂຸ້ນ (μm) | ≤50 | ≤50 | ≤50 |
| ຮູບແບບທາງເລືອກຂອງການປະຕິບັດດຽວກັນທົ່ວໂລກ | C3059-1550-R2A | / | C3059-1550-R08B |
ໂຄງສ້າງ Chip Plane Front
ຕອບສະໜອງໄວ
ຄວາມອ່ອນໄຫວຂອງເຄື່ອງກວດຈັບສູງ
ລະດັບເລເຊີ
ລິດາ
ການເຕືອນໄພເລເຊີ
ໂຄງສ້າງ Chip Plane Front
ຕອບສະໜອງໄວ
ຄວາມອ່ອນໄຫວຂອງເຄື່ອງກວດຈັບສູງ
ລະດັບເລເຊີ
ລິດາ
ການເຕືອນໄພເລເຊີ
